Транзисторы структуры ЛИЗ-МОП.
Расшифровка: Металл… Окисел кремния… Полупроводник с Лавинной Инжекцией Заряда
Это элемент памяти с двойным затвором, для стирания требуется УФ излучение.
Эти транзисторы под воздействием программирующего напряжения способны записать электрический заряд под затвором и сохранять его много тысяч часов без напряжения питания