Сколько нанометров в обычных корпусных транзисторах?

Question

[xterro]

Любопытства для, по какому техпроцессу делают обычные транзисторы, в корпусах которые. Сколько там нанометров, 500-1000 ? В силовых корпусах и в smd.

Answer 1

[Telcontar]

От 180 до 3000. Погуглить-то никто не мешает.

Comments

[xterro]

Спасибо, гуглил, находит про транзисторы в "процессорах" и тамошние нанометры, потому спросил.

Answer 2

[Пума Тайланд]

Для дискретных транзисторов нм-процесс — не то же что у CPU, их геометрия определяется электрическими параметрами, не плотностью. Мелкосигнальные BJT (типа BC547) делают на старых процессах, там буквально 1–5 мкм (1000–5000 нм). У MOSFET бывает компактнее, но конкретный техпроцесс никто особо не публикует.

Answer 3

[Василий Орлов]

У обычных дискретных транзисторов нет одного точного «техпроцесса в нанометрах», как у процессоров.
Если сильно упростить, размеры элементов внутри транзистора обычно находятся примерно в диапазоне от 500 до 10 000 нм. У силовых MOSFET и IGBT они чаще составляют несколько микрометров, хотя отдельные слои могут быть намного тоньше.
Так что 500–1000 нм — вполне реальная величина для отдельных частей транзистора, но не для всего кристалла целиком. А SMD это или обычный выводной корпус — на размер внутренних элементов почти не влияет.