Для дискретных транзисторов нм-процесс — не то же что у CPU, их геометрия определяется электрическими параметрами, не плотностью. Мелкосигнальные BJT (типа BC547) делают на старых процессах, там буквально 1–5 мкм (1000–5000 нм). У MOSFET бывает компактнее, но конкретный техпроцесс никто особо не публикует.