У обычных дискретных транзисторов нет одного точного «техпроцесса в нанометрах», как у процессоров.
Если сильно упростить, размеры элементов внутри транзистора обычно находятся примерно в диапазоне от 500 до 10 000 нм. У силовых MOSFET и IGBT они чаще составляют несколько микрометров, хотя отдельные слои могут быть намного тоньше.
Так что 500–1000 нм — вполне реальная величина для отдельных частей транзистора, но не для всего кристалла целиком. А SMD это или обычный выводной корпус — на размер внутренних элементов почти не влияет.

В схеме с общим эмиттером выход снимают с коллектора относительно земли.
Когда ток базы увеличивается, транзистор открывается сильнее, ток коллектора растёт. Из-за этого на коллекторном резисторе падает больше напряжения, а напряжение на самом коллекторе становится меньше.
То есть входной сигнал идёт вверх, а выходной — вниз. Поэтому и получается противофаза примерно на 180°.
В эмиттерном повторителе выход снимают с эмиттера. Напряжение на базе растёт — напряжение на эмиттере тоже растёт, примерно на 0,6–0,7 В ниже. Поэтому сигнал остаётся в фазе.
Главный момент: в схеме с ОЭ при росте тока увеличивается падение напряжения на резисторе коллектора, но напряжение на самом коллекторе уменьшается.