Странно у вас получилось - ваши три пункта совсем не соответствуют тому вопросу, который задан в заголовке. На этот вопрос ответ известен. Да, на ранних стадиях развития микроэлектроники, покуда ИМС работали на сравнительно невысоких частотах, можно было собрать почти точный эквивалент на отдельных транзисторах. Но впоследствии, по мере развития технологий, в разработке ИМС стали учитывать более тонкие эффекты (распределение по кристаллу ёмкостей, индуктивностей, тепла, а также градиенты технологических воздействий), и это дало эффекты, не повторяемые на дискретных компонентах и позволяющие достичь непревзойдённых параметров. Скажем, этим обусловлена куда более высокая точность интегральных ОУ и ЦАП/АЦП по сравнению со спаянными из обычных элементов.
Так что если уж копировать на дискретных элементах какую-то ИМС, то не по её принципиальной, а по её эквивалентной схеме. Да и то наверняка придётся масштабировать такое изделие в сторону более низких рабочих частот.