В процессе эпитаксии гетероструктур используют уже легированные вещества?
Заинтересовался светодиодами, в частности тем, как они работают и создаются.
Как понял, для создания p-n перехода, нужны, только легированные вещества,но так и не понял, из чего состоит активный(запирающий) слой.
Далее, узнал, что полупроводники не спаиваются, как мне казалось, а наращиваются друг на друге, и вот тут неврубаюсь.
Получается если используется этот метод, то легировать вещество не нужно?
Тогда как скрепляют positive и negative полупроводники?
Или эпитаксия и гетероструктуры это другая "песня"?
"Легировать не нужно" - не очень понятно, что Вы имеете ввиду?
Нам в любом случае нужны легированные полупроводники - один n-типа, другой p-типа. Т.е. по-любому "легировать нужно". А вот отдельная технологическая операция по легированию эпитаксиального слоя вполне может отсутствовать. Полупроводник легируется непосредственно в процессе осаждения, т.е. растёт уже легированный слой.
берется чистый кремний и легируется необходимыми примесями с помощью методов ионной имплантации
наращивание новых слоев кремния идет при помощи газофазной эпитаксии
полупроводники сплавлялись очень давно, на заре полупроводниковых технологий, поищи микросплавной транзистор.
наращивание и имплантация дает более качественный результат . и вполне естевенно более тонкие эементы чем спайка/сварка :)
гугли - тырнет полон любой информации.
