Конкретно эта микросхема вам не подойдёт. У неё ограничение 0,5А на вывод или 2,5А суммарно на весь корпус. Объединять выходы транзисторов можно, но с осторожностью. У биполярного транзистора есть такое явление, как вторичный (тепловой) пробой. Если через один из транзисторов случайно потечёт больший ток (например, из-за разброса параметров), то этот транзистор будет нагреваться сильнее остальных. Сопротивление его pn-перехода будет уменьшаться, ток через него еще сильнее возрастать... Пых! Волшебный дым вышел, устройство больше не работает.
Чтобы такого не случилось, последовательно с каждым транзистором включают по токовыравнивающему резистору (0,05..0,25 Ом). Резисторы обеспечивают падающую ВАХ выхода и не дают развиваться вторичному пробою.
А вам я посоветую использовать полевые транзисторы (MOSFET). Какой-нибудь IRF540 пропустит десяток ампер и не подавится. И да, полевые транзисторы можно включать параллельно без всяких резисторов. У них сопротивление канала растет при нагреве, токи выравниваются автоматически.
