Здравствуйте. Помогите пожалуйста с переводом терминов. Буду очень благодарна.
Тема: "Влияние процесса внедрения углерода на высокочастотные характеристики кремний-германиевых гетеропереходных биполярных транзисторов и инвариантность процесса".
Вот вопросы:
1) Постэпитаксиальный процесс идентичен для всех пластин за одним исключением: пластины с изначально слаболегированными коллекторами на скрытых слоях, сформированных диффузией сурьмы, имплантированы малыми дозами для селективного легирования плёнки из слаболегированного кристаллизованного кремния (SI-LDCs).
Пластины с изначально слаболегированными коллекторами на скрытых слоях, сформированных диффузией сурьмы, имплантированы малыми дозами для селективного легирования плёнки из слаболегированного кристаллизованного кремния (SI-LDCs) — корректный перевод?
14) При использовании слоев поликристаллического кремния для контактов эмиттера внешние зоны базы обычно имплантируются ионами бора BF2 и адаптивны к эмиттерам — ?
15) Характеристики тока коллектора при разном максимальном напряжении коллектор-база идентичны, что свидетельствует об отсутствии концентрации бора на поверхности кремний-германиевого слоя на стороне коллектора.
on the collector side — на стороне коллектора — ?
16) Первые тестирования напряжения прямого смещения при температуре 200 °C с пиковым (испульсным) током коллектора на транзитной (граничной частоте) на протяжении более 20 часов показали, что ток коллектора и базы (при напряжении база-эмиттер 0,7 В) остаются постоянными с точностью до 5%.
peak fT collector current — пиковый (или импульсный — ?) ток коллектора на транзитной (или граничной частоте — ?) — ?
17) Значение напряжения коллектор-эмиттер (VCE) практически не влияет на значения зависимости граничной частоты передачи тока от тока коллектора fT(Ic) в гетеропереходных биполярных транзисторах с карманом Sb-типа — ?
18) Это все один абзац (2 предложения)..
При напряжении Эрли более 30В паразитный электронный барьер на коллекторе с гетеропереходом можно исключить по причине зависимости транзитной частоты fT от коллектор-эмиттерного напряжения VCE в гетеропереходных биполярных транзисторах с карманами P-типа. — здесь пойдет перевод ?
Согласно полученным параметрам времени транзита и результатам моделирования это может быть связано с остаточными разностями в сопротивлении коллектора (Rc) устройств с карманами P-типа по сравнению с устройствами с карманами Sb-типа.
остаточными разностями в сопротивлении коллектора (Rc) устройств — ?
20) Интересно, что частоты прохождения при напряжении между коллектором и эмиттером (VCE) равному 1 В становятся выше, чем при 2 В.
transit frequencies at VCE = 1V are higher — частоты прохождения при напряжении между коллектором и эмиттером (VCE) равному 1 В становятся выше — ?
21) Низкий коэффициент рассеяния данных кольцевого генератора на пластине показывает, что, несмотря на добавление углерода, критическую толщину слоя при эпитаксии базы/эмиттера можно контролировать.
The low on-wafer scatter of ring oscillator data — Низкий коэффициент рассеяния данных кольцевого генератора на пластине — ?
Помогите пожалуйста, кто разбирается в электронике.
Средний
