Почему в документации для npn-транзистора указывается напряжение между эмиттером и базой?

Question

[Имя]

В документации на транзистор, в максимальных параметрах, указывается максимальное напряжение эмиттер-база Vebo=5В, но разве не должно указываться напряжение между базой-эмиттером, ведь это npn-транзистор, почему так?

Answer 1

[pfg21]

Vebo - напряжение эмиттер-база обратное.
максимальное напряжение, которое выдержит обратно смещенный переход эмиттер-база до пробоя.
полный аналог пробоя диода обратно приложенным напряжением.

пробой с небольшим током не убьет транзистор (как и диод). при большом токе - сгорит, выпустив синий магический дым, на котором работает.

Comments

[Имя]

Тогда почему не указывается максимальное напряжение между базой и эмиттером?

[Виктор]

Герман, странное вы спрашиваете... Ведь именно оно и указано! Все остальные напряжения на PN-переходе должны быть меньше этого максимального.

ведь это npn-транзистор, почему так?

Для PNP-транзистора абсолютно то же самое, разные только полярности.

[pfg21]

Герман, почему же не указано ??
вполне указано - падение напряжения на прямо смещенном э-б переходе - параметр Vbe = 600 640 700 mv
вполне обычные напряжения для прямо смещенного кремниевого p-n диода.
повышение напряжения приведет к лавиннообразному увеличению тока б-э (диодная характеристика) и сгоранию перехода.
падение напряжения на p-n переходе при этом не сильно повысится выше 700 mv.

прямой вопрос, дабы не ходить близко да около, ты знаешь теорию работы биполярного транзистора ??

[Имя]

pfg21, теорию по транзистору знаю, вот с практикой вожусь

[Имя]

pfg21, а так да, про напряжение б-э я дурость сморозил, оно там всегда 0.7 mv.

[VT100]

пробой с небольшим током не убьет транзистор (как и диод).

FTGJ, даже при ограничении тока, пробой эмиттерного перехода обратным напряжением вызывает деградацию параметров транзистора за счёт инжекции носителей на границу между полупроводником и слоем пассивации (hot carrier injection).
Если нужна железобетонная надёжность - надо использовать встречно-параллельный внешний диод.