@10pnuk

Почему на некоторых ОЗУ 3 тайминга, а на других 4?

Здравствуйте, почему на некоторых ОЗУ описание трёх таймингов, а на других четырёх? Что это значит, и какая лучше?
11.png
22.png
Где то вообще один тайминг.
2020-06-03-12-24-51.png
  • Вопрос задан
  • 5856 просмотров
Пригласить эксперта
Ответы на вопрос 1
CityCat4
@CityCat4
Внимание! Изменился адрес почты!
На самом деле таймингов примерно восемь, но для выбора памяти обычно имеют значение первые четыре:

CL (CAS Latency) - время в тактах шины между сигналом Column Access Strobe (адресующим столбец) и собственно началом чтения из него данных, фактически - задержка между командой чтения из памяти и его фактическим началом. Самый важный параметр, если указано одно число - это оно. Чем меньше, тем лучше.

TRCD (RAS to CAS Delay) - время в тактах шины между сигналами Row Access Strobe (адрес строки) и Column Access Strobe (адрес столбца), фактически - задержка между командой активации строки и командой чтения из нее (задержка чтения - CL, то есть чтение из неактивной строки пройдет за время TRCD + CL). Чем меньше, тем лучше.

TRP (Row Precharge Delay) - время в тактах шины между сигналом Precharge (закрыть строку) и Row Access Strobe (открыть другую строку), фактически задержка при переключении строк памяти (то есть если поступила команда Precharge, то следующая операция чтения/записи начнется не ранее чем через TRP + TRCD + CL). Чем меньше тем лучше.

TRAS (Active To Prechagre Delay) - время в тактах шины между сигналом Row Access Strobe (открыть строку) и Precharge (закрыть строку), фактически - время операции со строкой (перейти к операции с другой строкой память сможет не раньше этого времени). Чем меньше тем лучше.

Если вместо примерной суммы первых трех чисел указано число 1 или 2 - это Command Rate - длительность в тактах любой команды.
Ответ написан
Комментировать
Ваш ответ на вопрос

Войдите, чтобы написать ответ

Войти через центр авторизации
Похожие вопросы