VT100, VT100, теперь понял, чем отличается у акцепторной примеси будет 7 на внешней орбите электронов, а у донорной 8, но теперь ещё один вопрос: фосфор+кремний дают 8 электронов на их внешней орбите, поэтому 9 электрон легко отсоединяется, т.к ещё сильнее удален от протонов, бор+кремний имеют 7, как и соседний кремний имеет 7(он ведь тоже находится в кристаллической решетке), а что заставит один из них отдать другому, если они в равных условиях(по 7 электронов на внешнем уровне)
При сообщении электрону дополнительной энергии ковалентная связь может нарушиться и он станет свободным. Место на внешней орбите атома, где ранее находился электрон, называют дыркой.
Как я понимаю, дырки происходят из-за того, что молекула отдаёт электрон, тем самым нарушая свой нейтральный статус и становясь положительным, и так далее и далее на всё проводнике п-типа.
Относительно самой концепции дырок и свободных электронов я могу понять работу транзисторов, в частности МОД. Но я не понимаю как так получилось, что у одного проводника свободные электроны, а у другого дырки, если по сути это одно и тоже и две концепции "дырка" и "свободный электрон" можно применять к обоим проводникам:
кремний+5 валентная примесь-участвуют 4 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный
кремний+3 валентная примесь-участвуют 3 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный.
Либо посмотрим иначе:
кремний+3 валентная примесь-3 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона кремния не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку.
кремний+5 валентная примесь-4 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона примеси не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку
pfg21, так в области спая они нейтральны, так как дырки "закрываются" электронами, а если ещё и ток приложить, то это область может увеличиться, либо уменьшиться, в зависимости от полярности тока, то есть будет диодом. Я то спрашиваю о другом, почему когда примесь валентность ниже приводят аналогию с дырками, а когда выше, тос ос свободными электронами. если по сути это одно и тоже и две концепции "дырка" и "свободный электрон" можно применять к обоим проводникам:
кремний+5 валентная примесь-участвуют 4 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный
кремний+3 валентная примесь-участвуют 3 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный.
Либо посмотрим иначе:
кремний+3 валентная примесь-3 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона кремния не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку.
кремний+5 валентная примесь-4 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона примеси не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку.
Пока я единственное отличие вижу, что кристаллическая решётка должна состоять из 4 связей, может с этим у меня проблема?
так вот я и спрашиваю, почему когда примесь валентность ниже приводят аналогию с дырками, а когда выше, тос ос свободными электронами. если по сути это одно и тоже и две концепции "дырка" и "свободный электрон" можно применять к обоим проводникам:
кремний+5 валентная примесь-участвуют 4 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный
кремний+3 валентная примесь-участвуют 3 электрона в построении кристаллической решетке, один свободный.
Либо посмотрим иначе:
кремний+3 валентная примесь-3 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона кремния не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку.
кремний+5 валентная примесь-4 электрона участвуют в кристаллической решётке, для 1 электрона примеси не хватает связи, поэтому берётся один электрон из соседней молекулы, тем самым создавая дырку.
Пока я единственное отличие вижу, что кристаллическая решётка должна состоять из 4 связей, может с этим у меня проблема?
Виктор, спасибо, вроде понял: если изменение напряжения на выходе происходит быстрее, чем на входе. то такой промежуток следует расположить в запретной зоне, т.к любая помеха будет многократно усилена.
Виктор, на счёт граничных коэффициентов передачи: показывают приращение на границах уровней низкого и высокого напряжения, то есть производная(приращение/изменение) функция/производная(приращение/изменение) аргумента, если производная функции больше, то график резко падает, функция резко меняется, напряжение на выходе резко меняется, если производная функции меньше, то то напряжение на выходе меняется медленно относительно входа. А когда этот коэффициент равен -1, то производные функции(напряжение выхода) и аргумента(напряжение на входе) меняются с одинаковой скоростью.
Виктор, я никак не могу понять, почему входные сигналы низкого и высокого напряжения выбирают до стремительного приращения функции, в частности изменения напряжения на выходе. Это тоже связано с помехоустойчивостью?
Виктор, я не имел ввиду допустимые уровни шумов между выходом одного вентеля и входом другого, я имел ввиду вход и выход одного вентеля, описанные передаточной характеристикой.
Алан, либо здесь, либо на хабре пишешь "лучшие книги по Java" и будет тебе списочек с ними от каждого пользователя и у каждого его книга будет "самой-самой", тебе останется лишь выбрать.
если поменять на <=, то цикл будет добавлять к строке элементы до тех пор, пока длина строки не станет больше summary, либо если она больше изначально, то сразу выведет n
hint000, то есть, разряд из двоичной системы приравняли к мере информации, как когда-то цилиндр из сплава платины и иридия приравняли к мере килограмма. И уже исходя из этого, формула выше не частный случай, а общий для всех, если мы хотим описать сколько информации есть в десятичной, троичной и т.д системе, то мы должны её считать относительно двоичной системы, т.к так принято, верно?
У меня и был ступор из-за этого, что учёный считай ничего не доказал, а просто на примере Булевой логики вывел частную формулу, а все её считают за общий случай, многогласно называя бит мерой информации.
rPman, но в формулу D = log2(N), D-число битов, а не степень логарифма(2), то есть при подсчете двух состояний мы получим 1 бит, а при подсчёте с тремя состояниями( основание 3) мы получим не 1 бит, а 1, 58 бита, то есть Вы физически не можете записать 1 бит 3 состояний в 1 бите двух состояний, объема информации 1 бита 2 состояний не хватит. Пример: есть 3 регистра с именами: красный, зеленый, желтый. Для каждого регистра нужен адрес, мы используем 2 бита двух состояний: 00,01,10. Вы никак не сможете записать их 1 битом(0 или 1). А если возьмем 1 бит 3 состояний, то мы сможем это сделать: 0, 1, 2. Это существенная разница.
hint000, когда я разбирался с этой формулой без пояснений, то использовал комбинаторику, где N-это кол-во размещений с повторениями, следовательно степени 2 это разряды, а именно количество мест. То есть, если будет два места, где в каждом у нас 2 выбора(0 или 1; да или нет), то кол-во размещений(вариантов) будет на первом месте 2 и на втором 2, перемножаем и получаем 4, если будет три места, то перемножаем уже 3 двойки и т.д. И когда я получил объяснение и вывод формулы через аналогию с энтропию и вопросы, то я сильно удивился, ведь в своей работает они называют полученный 1 БИТ, как меру информации, когда они в расчетах тупо использовали логику бинарную Буля, вот у них и получалось всегда основание в 2. Ну теперь стало ясно, что на самом деле они получили частную формулу информации и бит от разных логик будет иметь разное значение. Вот зачем надо было всё усложнять, нельзя было сразу им написать в объяснении, что бит это разряд.
Поймите, в интернете приводят именно эту формулу и доказывают ее через энтропию, называя ее вывод информацией, когда на самом деле эта формула не показывает информацию, а является частным случаем для кодирования бинарной системой чисел. Там именно что всегда основание двойки и за бит, который называется мерой информации, принято именно двоичное состояние. Вот и спрашивается, зачем частную формулу выдавать за общую и бит, который называют мерой информации, приписывать только к бинарной системе.
Вопрос: неужели нам просто повезло, что данная формула подошла под цифровую систему? Почему они не вывели общую формулу, чтобы не путать тех, кто будет это изучать?
И как это доп.энергия появляется?