Добрый день!
Сразу извиняюсь и прошу не посылать на более специализированные форумы, ибо только и слышу, что "читать литературу", но о правильности или не правильности понятого из этой литературы спросить не у кого.
Так вот, нужно с помощью Arduino управлять мощным MOSFET транзистором (в моё случае IRFP250N).
Даташит на него:
https://www.infineon.com/dgdl/irfp250n.pdf?fileId=...
Управление планируется PWM (ШИМ), частота 1кГц. Окружающая температура 20-40 градусов.
Так вот, возникло некоторое недопонимание характеристики "
Gate Threshold Voltage" (2-4 Вольта).
как я понимаю, это порог, после которого транзистор
гарантированно откроется?
так как Arduino выдаёт 5 вольт, а частота ШИМ 1 кГц, то тринзистор будет успевать открываться?
Или всё таки от 5 вольт он откроется не полностью и будет греться (будет 12 Вольт, 6 Ампер)?
Так же интересует, как понять и куда смотреть, что бы выяснить, что частота ШИМ 1кГц в пределах допустимого (примерно предполагаю, что это связано с ёмкостью затвора) ?
